《射频技术与无线通信》 模拟试卷（Ⅰ卷）
- 判断题（10题，每题2分，共计20分）
- 镜像频率是与有用射频信号关于本振信号对称存在的频率信号。（ ）
- 将二次变频超外差接收机拓扑结构中的第一次混频和滤波数字化，便可得到数字中频接收机。（ ）
- MESFET是指金属半导体场效应晶体管。（ ）
- 微带线中传输的是TEM波。（ ）
- 阻抗圆图上由负载向着源方向是顺时针旋转，由源向着负载方向是逆时针旋转。（ ）
- 二极管中，由于通过PN结时载流子的随机注入和随机符合，使真实的接电流是围绕平均电流随机起伏的，这种随机起伏产生的噪声称为散粒噪声。（ ）
- 如果干扰信号携带有幅度调制信息，在通过非线性器件或系统后，干扰信号携带的幅度调制信息不会转移到有用信号上。（ ）
- 按照品质因数由高到低排，分别是晶体滤波器、陶瓷滤波器和LC滤波器。（ ）
- 并联反馈稳定措施会降低放大器的噪声系数，故通常用于低噪声放大器中。（ ）
- 非线性电阻器件具有带宽大、功率高、工作更稳定等优点，同时也存在附加噪声大、效率低等缺点。( )
- 单项选择题（15题，每题2分，共计30分）
- 互调分量是器件（ ）产生的组合频率分量进入通频带而引起的干扰信号。
A. 线性 B. 非线性 C. 混频 D. 倍频 - 发射机的杂散辐射在有用边带和邻道（ ）的离散频率上的辐射。
A.以外 B. 以内 C. 以上 D. 以下 - BiCMOS技术是指在同一个衬底上结合了CMOS晶体管和（ ）晶体管。
A. 二极管 B. PMOS C. 双极型（BJT） D. NMOS - L波段的频率范围指的是（ ）GHz。
A.2-3 B. 4-8 C. 2-4 D. 1-2 - Hartley 和Weaver提出了（ ）抑制接收机结构，在理想情况下，可以完全消除（ ）干扰。
A. 寄生 B. 镜像 C. 通带 D. 相位 - 雪崩二极管在很宽频带内具有（ ）效应，因此可以将直流功率转换成RF功率。
A. 负电阻 B. 滤波 C. 放大 D. 变容 - 双极型晶体管中包含有（ ）PN结。
A. 一个 B. 两个 C. 三个 D. 四个 - （ ）是指高电子迁移率晶体管。
A. HESFET B. HMET C. HEMT D. HFET - 电阻热噪声：电阻或电导在热力学（ ）以上的条件下，其内部的自由电子由于做不规则的热运动，会产生噪声功率。
A. 室温 B. 零度 C. 常温 D. 273K - 发射载频包络说明了发信机载波功率随（ ）的变化规律。
A. 频率 B. 时间 C. 负载 D. 驻波 - 噪声的大小决定了接收机可以接受的（ ）信号幅度的门限。
A. 最小 B. 最大 C. 平均 D. 1dB - 对于功率放大器件来说，常用到线性动态范围下限为输出噪声基底，上限为输出（ ）。
A. 功放最大值 B. 1dB压缩点 C. 带宽增益积 D. 最大功率的一半 - 晶体滤波器的相对带宽只有（ ）。
A. 千分之几 B. 万分之几 C. 十分之几 D. 百分之几 - 放大器的作用是在输入信号的控制下，将一部分（ ）转换为射频功率。
A. 交流功率 B. 信号功率 C. 直流功率 D.高频功率 - （ ）是牺牲功放增益来达到失真信号压缩的目的。
A. 功率回退法 B. 前馈法 C. 负反馈法 D.预失真法 - 多项选择题（5题，每题3分，共计15分）
- 超外差接收机可以将接收机的总增益分散到（ ）频段上。
A. 射频 B. 中频 C. 基带 D. 振荡频率 - 电路内部噪声的主要来源可分为（ ）。
A. 电阻热噪声 B. 半导体器件的噪声 C. 基极噪声 D.闪烁噪声 - CAD软件包中的电路元件库提供了大量的各类元件，分类为（ ）。
A. 通用无源元件 B. 通用有源元件 C. 制造商供应的元件 D.用户自定义的元件 - 放大器按照实现方式来分，可以分为（ ）。
A. 单片射频微波集成放大器 B. 混合集成放大器 C. 低噪声放大器 D. 功率放大器 - 典型的分频器结构有：（ ）。
A. 参量式二分频器 B. 再生式分频器 C. 数字式分频器
D.注入锁相振荡器式分频器 - 简答题（2题，每题10分，共计20分）
1.请说明PIN二极管和PN结二极管的异同点。
2. 将导线细分为无限小的线元，给出其集总元件电路。
- 综合题（15分）
给出双平衡二极管混频器电路示意图，并说明双平衡二极管混频器相对于单端混频器带来的优点是什么？
参考答案
- 判断题（10题，每题2分，共计20分）
- √ 2. √ 3. √ 4. × 5. √
6. √ 7. × 8. √ 9. × 10. √
判分标准：每题2分，答对得分
- 单项选择题（15题，每题2分，共计30分）
1. B 2. A 3.C 4.D 5. B
6. A 7. B 8.C 9.B 10. B
11. A 12. B 13.A 14. C 15. A
判分标准：每题2分，答对得分
- 多项选择题（5题，每题3分，共计15分）
1. A，B，C 2. A，B 3. A， B，C，D
4. A，B 5.A，B，C，D
判分标准：每小题全部答对得3分，漏答一个扣1分，扣完为止，错选1个该题不得分。
- 简答题（2题，每题10分，共计20分）
- 请说明PIN二极管和PN结二极管的异同点。
解答：在直流和低频偏压下，PIN管同样具有整流特性，这一点与PN结变容管相同。由于在P层和N层之间插入了一层未掺杂的I层，其耗尽层宽度加宽了，因此PIN管具有更小的结电容，并能承受更高的反向击穿电压，可处理更大的功率；在反偏压达到一定程度时，I层完全处于耗尽状态，结电容相当于以P+和N+层为极板的平板电容，由于极板间距不会随反偏压增大而再增大了，PIN管可看作是一个恒定电容器件。
判分标准：答出上面部分得5分
当一个PIN管处在直流（或低频）正向电压与微波电压共同作用下时，其特性将发生显著的改变。I层储存有大量的注入电荷，处于等离子体状态，必然呈现低阻，所以PIN管仍然是导通的。 PIN管处在直流（或低频）反向偏压下PIN管都是不能导通的，在整个微波信号周期内呈现高阻状态。
PIN管的导通仅来源于处在直流（或低频）正向偏压下，这时PIN管类似于一个线性电阻，对于微波信号正负半周都是导通的；当处在直流（或低频）反向偏压下，整个微波信号周期内都是不导通的。而且，直流（或低频）控制电压（电流）可以很小，但能控制很大的微波功率的通与断，这时PIN管广泛用于微波控制电路的重要原因之一。
判分标准：答出这部分得5分
2. 将导线细分为无限小的线元，给出其集总元件电路。
解答： 当传输频率比较高的时候，就不能直接用低频的相关电路定律了，需要换成高频分析方法，下面给出无限小线元的模型：
判分标准：答出这部分得5分
由基尔霍夫电路定理可得：
从这两个方程解出电压电流的表达式。
判分标准：答出这部分得5分
- 综合题（15分）
给出双平衡二极管混频器电路示意图，并说明双平衡二极管混频器相对于单端混频器带来的优点是什么？
解答：四个二极管的正负极顺次相连，组成一个环路或二极管电桥，故又称之为环形混频器。双平衡二极管混频电路示意图如下：
中频信号从信号巴仑的平衡端（变换器次级）的中点引出，而本振巴仑次级的中点接地。
判分标准：答出这部分得7分
相比单端混频器，带来的优点有下列几点：
- 非线性混频过程中产生了中频分量，能够实现混频功能。
- 双平衡混频器的输出电流频谱含量比单端混频器减少了四分之三。
- 由于双平衡混频器利用了四个二极管，与单平衡混频器相比，在同样的输入信号强度下，分配到每个二极管的信号功率又小了3dB。因此，它的动态范围又比单平衡混频器大3dB，比单端混频器大6dB。
- 双平衡混频器优于单端混频器的一个主要方面。如果混频二极管性能优良，这种高隔离度将在很宽频带内实现，因此双平衡混频器可以作为宽带和超宽带微波混频器。
判分标准：每一点答出得2分
